碳化硅单管及模组
产品介绍
平面SiC MOSFET通常采用平面栅极设计，栅极位于晶圆表面，从而形成横向延伸的通道，相较于传统硅基MOSFET和其他结构的SiC器件（如沟槽型SiC MOSFET）具有高耐压、低损耗、高温稳定性、工艺简单、良率高的优势
与传统的平面型SiC MOSFET相比，沟槽型SiC MOSFET通过在基体中形成垂直的沟道来优化器件的电学特性，但工艺复杂性和成本较高
特点与优势
Ø极低的FOM
Ø低等效输出电容
Ø开关损耗受温度影响小
Ø体二极管反向恢复电流极小
Ø行业领先的Rdson归一化曲线
应用
Ø通讯电源
Ø服务器电源
Ø光伏微逆
Ø低压储能
Ø消费电源
Ø其他工业电源
产品列表
| Part No. | Package | Vds_ Max (V) | Rds(on)(mΩ)_25°C | Vth_ Typ(V) | Vgs_ Max(V) | Qg_Vgs =-4/18V (nC) | Qgs (nC) | Qgd (nC) | ID_ Max(A) TC=25°C | Status | |
| Vgs=18V | |||||||||||
| Typ | Max | ||||||||||
| TO247-4 | 1200 | 21 | 29.4 | 3 | -10/+22 | 135 | 38 | 50 | 90 | Release | |
| TO247-4 | 1200 | 40 | 56 | 3 | -10/+22 | 62 | 20 | 14 | 57 | Release | |
| TO247-4 | 1200 | 60 | 84 | 3 | -10/+22 | 52 | 14 | 23 | 44 | Release | |
| TOLL2-8 | 650 | 27 | 38 | 2.8 | -10/+22 | 91 | 25 | 21 | 84 | Release | |
| TOLL2-8 | 650 | 45 | 63 | 2.8 | -10/+22 | 56 | 14 | 15 | 50 | Release | |
