产品介绍
SiC MOSFET
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
SiC 二极管
无反向恢复电荷，几乎没有开关损耗。高工作温度 (Tjmax=175℃），开关特性受温度变化很小。材料特性，可以轻易达到更高的击穿电压。提高了系统效率和功率密度，增强了系统可靠性。
SiC功率模块
具有出色的栅极氧化可靠性，优秀的开关特性，较低的导通损耗。支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。节省空间、重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。功率模块系列拥有不同的配置，如半桥、sixpack等，可以满足各种应用设计。
碳化硅应用领域
LED驱动应用
空调PFC应用
服务器电源，通信电源，PC电源应用
光伏MPPT应用
电动汽车相关应用
充电桩应用
SiC applications – 3.3KW/6.6KW OBC
SiC applications – 11KW/22KW OBC
电动汽车逆变器
在未来，电动汽车需要越来越多的宽禁带半导体碳化硅，电动汽车是碳化硅最重要的增长驱动力。
产品列表
| Part No. | Package | Vds_ max (V) |
Rds(on)(mΩ)_25°C | Vth_ typ.(V) |
Vgs_ max.(V) |
Qg_ Vgs=10V (nC) |
Qgd (nC) |
IDS_ Max(A) |
Status |
| Vg=10V | |||||||||
| Max | |||||||||
| SCHA2N030JN-AA | TO247-4 | 1200 | 42 | 2.6 | -8/+22 | 150 | 53.6 | 63 | Developing |
| SCHA2N040JN-AA | TO247-4 | 1200 | 56 | 3 | -8/+22 | 62 | 14 | 57 | Sample available |
| SCAA2N011JN-AA | TO247-4 | 1200 | 21 | 2.6 | -8/+19 | Developing | |||
| SCHA7N1K0WN-AA | TO247-3 | 1700 | 1400 | 2.8 | -8/+19 | 7.4 | 2.5 | 5 | Developing |
| SCHA7N3K0WN-AA | TO247-3 | 1700 | 1600 | 2.8 | -8/+19 | 3 | 1 | 2 | Developing |
| SCH65N027QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 38(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 91 | 21 | 84 | Developing |
| SCH65N040QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 56(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 65 | 19 | 52 | Developing |
| SCH65N045QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 63(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 56 | 15 | 50 | Developing |
| SCH65N060QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 80(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 38 | 9 | 41 | Developing |