Silicon Magic
用“芯”迈向未来
平面SJ MOSFET通过对传统MOSFET的漂移区结构进行了调整，引入了二维电场打破了硅基材料固有的“硅极限”，实现了高阻断电压与低比导电阻的优化折中，结构如图(A)、(B)、(C)所示，具有更快的开关速度，更低的导通损耗，极低的栅极电荷，更优的雪崩耐量和ESD能力
屏蔽栅沟槽型MOSFET系列产品具有电荷平衡功能，全面提升了器件的开关特性和导通特性， 同时降低了器件的特征导通电阻和栅极电荷。
平面SiC MOSFET通常采用平面栅极设计，栅极位于晶圆表面，从而形成横向延伸的通道，相较于传统硅基MOSFET和其他结构的SiC器件（如沟槽型SiC MOSFET）具有高耐压、低损耗、高温稳定性、工艺简单、良率高的优势
开关充电器(Switching Charger)：适用于移动通信等应用锂电池充电，并支持1-cell至4-cell在内的多种电池结构。 电容分压器(Switched Capacitor Charger)：高效DC-DC转换器，适用于移动设备快充，可有效降低充电过程中的发热现象，并减少充电时间。 电量计(Fuel Gauge)：基于电池的劣化、周边温度、放电速度等各种因素，精确的测量并跟踪电池充电容量，提供不同条件下电池容量及放电时间的准确信息。