超结MOSFET
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产品介绍
平面SJ MOSFET通过对传统MOSFET的漂移区结构进行了调整，引入了二维电场打破了硅基材料固有的“硅极限”，实现了高阻断电压与低比导电阻的优化折中，结构如图(A)、(B)、(C)所示，具有更快的开关速度，更低的导通损耗，极低的栅极电荷，更优的雪崩耐量和ESD能力特点优势
Ø 极低的导通电阻
Ø 极低的FOM
Ø 低等效输出电容
Ø BV更大冗余
Ø 符合RoHS标准
应用领域
Ø通讯电源
Ø服务器电源
Ø光伏微逆
Ø低压储能
Ø消费电源
Ø其他工业电源
产品列表
| Part no | Package | Vds_ Max (V) | Rds(on)(mΩ)_25°C | Vth_ Typ.(V) | Vgs_ Max.(V) | Qg_ Vgs=10V (nC) | Qgs (nC) | Qgd (nC) | ID_ Max(A) TC=25°C | Status | |
| Vgs=10V | |||||||||||
| Typ | Max | ||||||||||
| TO247-3 | 650 | 65 | 70 | 4 | ±30 | 76 | 23 | 26 | 43 | Release | |
| TOLL2-8 | 650 | 65 | 70 | 4 | ±30 | 76 | 23 | 26 | 43 | Release | |
| TO247-3 | 650 | 57 | 65 | 4 | ±30 | 53 | 21 | 12 | 47 | Release | |
