超结MOSFET

Document


产品介绍

超结MOSFET通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能。其具有更快的开关速度，更低的导通损耗，极低的栅极电荷，从而降低了器件的功率损耗，提高系统效率。


特点优势

超结系列产品具有更优的雪崩耐量和ESD能力，提高了器件应用中的可靠性，同时优化了器件的开关特性，      使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。


应用领域

通信电源，充电桩，储能。


产品列表

Part   No.&产品规格书 Package  Vds_
    max (V) 		Rds(on)(mΩ)_25°C

Vth_

typ.(V)

 Vgs_
    max.(V) 		Qg_     Vgs=10V
    (nC) 		Qgd
    (nC) 		IDS_
    Max(A) 		Status
Vg=10V
Max

SDH65N070WF-AA

TO247-3 650 70 4 ±30 76 26 43 Release
SDH65N070QF-AA TOLL2-8 650 70 4 ±30 76 26 43 Sample   available
SJH65N030WF-AA TO247-3 650 30 4 ±30 230 86 85 ES   Ready
SJN65N180PH-AA TO220F-3 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N280PH-AA TO220F-3 650 280 4 ±30 30.3 11.6 13.8 ES   Ready
SJN65N360PH-AA TO220F-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N580PH-AA TO220F-3 650 580 4 ±30 16 7 8 ES   Ready
SJN65N180YH-AA TO220SF-3 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N280YH-AA TO220SF-3 650 280 4 ±30 30.3 11.6 13.8 ES   Ready
SJN65N360YH-AA TO220SF-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N180SH-AA DFN8*8-4 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N360DH-AA TO252-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N580DH-AA TO252-3 650 580 4 ±30 16 7 8 ES   Ready
SJH65N065WH-AA TO247-3 650 65 4 ±30 53 12 47 ES   Ready