超结MOSFET
产品介绍
平面SJ MOSFET通过对传统MOSFET的漂移区结构进行了调整，引入了二维电场打破了硅基材料固有的“硅极限”，实现了高阻断电压与低比导电阻的优化折中，结构如图(A)、(B)、(C)所示，具有更快的开关速度，更低的导通损耗，极低的栅极电荷，更优的雪崩耐量和ESD能力特点优势
Ø 极低的导通电阻
Ø 极低的FOM
Ø 低等效输出电容
Ø BV更大冗余
Ø 符合RoHS标准
应用领域
Ø通讯电源
Ø服务器电源
Ø光伏微逆
Ø低压储能
Ø消费电源
Ø其他工业电源
产品列表
| Part No.&产品规格书 | Package | Vds_ max (V) |
Rds(on)(mΩ)_25°C |
Vth_ typ.(V) |
Vgs_ max.(V) |
Qg_ Vgs=10V (nC) |
Qgd (nC) |
IDS_ Max(A) |
Status |
| Vg=10V | |||||||||
| Max | |||||||||
| TO247-3 | 650 | 70 | 4 | ±30 | 76 | 26 | 43 | Release | |
| SDH65N070QF-AA | TOLL2-8 | 650 | 70 | 4 | ±30 | 76 | 26 | 43 | Sample available |
| SJH65N030WF-AA | TO247-3 | 650 | 30 | 4 | ±30 | 230 | 86 | 85 | ES Ready |
| SJN65N180PH-AA | TO220F-3 | 650 | 180 | 4 | ±30 | 47.2 | 17.6 | 20 | ES Ready |
| SJN65N280PH-AA | TO220F-3 | 650 | 280 | 4 | ±30 | 30.3 | 11.6 | 13.8 | ES Ready |
| SJN65N360PH-AA | TO220F-3 | 650 | 360 | 4 | ±30 | 23.7 | 8.5 | 11 | ES Ready |
| SJN65N580PH-AA | TO220F-3 | 650 | 580 | 4 | ±30 | 16 | 7 | 8 | ES Ready |
| SJN65N180YH-AA | TO220SF-3 | 650 | 180 | 4 | ±30 | 47.2 | 17.6 | 20 | ES Ready |
| SJN65N280YH-AA | TO220SF-3 | 650 | 280 | 4 | ±30 | 30.3 | 11.6 | 13.8 | ES Ready |
| SJN65N360YH-AA | TO220SF-3 | 650 | 360 | 4 | ±30 | 23.7 | 8.5 | 11 | ES Ready |
| SJN65N180SH-AA | DFN8*8-4 | 650 | 180 | 4 | ±30 | 47.2 | 17.6 | 20 | ES Ready |
| SJN65N360DH-AA | TO252-3 | 650 | 360 | 4 | ±30 | 23.7 | 8.5 | 11 | ES Ready |
| SJN65N580DH-AA | TO252-3 | 650 | 580 | 4 | ±30 | 16 | 7 | 8 | ES Ready |
| SJH65N065WH-AA | TO247-3 | 650 | 65 | 4 | ±30 | 53 | 12 | 47 | ES Ready |
