屏蔽栅沟槽型MOSFET


产品介绍

屏蔽栅沟槽型MOSFET系列产品具有电荷平衡功能,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻和栅极电荷。

屏蔽栅深沟槽技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强了器件高温条件下的电流能力和抗冲击特性,更适宜于高温酷暑环境下的应用。

配合先进的封装技术,屏蔽栅沟槽技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击电量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。


特点与优势

特点与优势
极低的导通电阻
极低的FOM
高温下的电流能力更强
快速柔软恢复的体二极管特性
低Crss/Ciss,增强抗EMI能力
高UIS耐量,100


应用领域

应用领域
交直流电源同步整流
直流电机驱动
电池充电保护电路
逆变器
隔离直流转换器
不间断电源




产品列表


Part No. Package Vds_ max (V) Rds(on)(mΩ)_25°C V Vth_ typ.(V) Vgs_ max(V ) Qg_ Vgs=1 0V (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) IDS_ Max(A ) Status
Vg=10V
Typ Max
SDN10K018S2Z DFN3*3-8 100 13 18 1.9 ±20 26 4 8 40 Release
SDN10K018S2E DFN3.3*3.3-8 100 13 18 1.9 ±20 25 4 8 46 Release
SDN10K018S2C PDFN5*6-8 100 13 18 1.9 ±20 25 4 8 45 Release
SDN10K007S2C PDFN5*6-8 100 5.0 7.0 1.9 ±20 56 10 16 80 Release
SDN10K5P2S2C PDFN5*6-8 100 4.8 5.2 1.9 ±20 56 10 16 80 Release
SDN10N4P9S2B TO263-3 100 3.7 4.9 3 ±20 76 17 22 117 Release
SDN10N4P9S2C PDFN5*6-8 100 3.6 4.9 3 ±20 77 17 24 80 Release
SDN10N4P2S2B TO263-3 100 3.8 4.2 3 ±20 78 17 22 117 Release
SDN10N4P2S2C PDFN5*6-8 100 3.6 4.2 3 ±20 77 17 24 80 Release
SDN10N004S2C PDFN5*6-8 100 3.1 4.0 3 ±20 102 23 29 135 Release
SDN10N004S2B TO263-3 100 3.2 4.0 3 ±20 102 23 28 136 Release
SDN10N3P5S2B TO263-3 100 3.1 3.5 3 ±20 102 23 28 136 Release
SDN10N2P7S2B TO263-3 100 2.4 2.7 3 ±20 150 32 45 166 Release
SDN10N002T-AA TOLL-8 100 1.7 2.0 2.8 ±20 193 52 55 240 Release
SDN10N1P5S2T TOLL-8 100 1.1 1.5 3 ±20 258 68 74 330 Release
SDN08N003S2C PDFN5*6-8 CLIP 80 2.4 3.0 3 ±20 67 18 19 176 Sample available
SDN06K9P5S4O SOP-8 60 8.5 9.5 1.8 ±20 17 2 5 18 Release
SDN06N1P6S4C PDFN5*6-8 60 1.3 1.6 2.5 ±20 142 28 41 135 Release
SDN06L1P3S4C PDFN5*6-8 CLIP 60 0.9 1.3 1.6 ±20 143 16 45 250 Sample available
SDA04N0P9S1F TO263-7 40 0.7 0.95 3.4 ±20 117 36 41 240 Sample available
SDA04N0P6F-AA TO263-7 40 0.56 0.9 3.4 ±20 238 71 82 240 Sample available