碳化硅单管及模组
产品介绍
平面SiC MOSFET通常采用平面栅极设计，栅极位于晶圆表面，从而形成横向延伸的通道，相较于传统硅基MOSFET和其他结构的SiC器件（如沟槽型SiC MOSFET）具有高耐压、低损耗、高温稳定性、工艺简单、良率高的优势与传统的平面型SiC MOSFET相比，沟槽型SiC MOSFET通过在基体中形成垂直的沟道来优化器件的电学特性，但工艺复杂性和成本较高
特点与优势
Ø 极低的FOM
Ø 低等效输出电容
Ø 开关损耗受温度影响小
Ø 体二极管反向恢复电流极小
Ø 行业领先的Rdson归一化曲线
应用
Ø 通讯电源
Ø 服务器电源
Ø 光伏微逆
Ø 低压储能
Ø 消费电源
Ø 其他工业电源
产品列表
| Part No. | Package |
Vds_ max (V) |
Rds(on)(mΩ)_25°C |
Vth_ typ.(V) |
Vgs_ max.(V) |
Qg_ Vgs=10V (nC) |
Qgd (nC) |
IDS_ Max(A) |
Status |
| Vg=10V | |||||||||
| Max | |||||||||
| SCHA2N030JN-AA | TO247-4 | 1200 | 42 | 2.6 | -8/+22 | 150 | 53.6 | 63 | Developing |
| SCHA2N040JN-AA | TO247-4 | 1200 | 56 | 3 | -8/+22 | 62 | 14 | 57 | Sample available |
| SCAA2N011JN-AA | TO247-4 | 1200 | 21 | 2.6 | -8/+19 | Developing | |||
| SCHA7N1K0WN-AA | TO247-3 | 1700 | 1400 | 2.8 | -8/+19 | 7.4 | 2.5 | 5 | Developing |
| SCHA7N3K0WN-AA | TO247-3 | 1700 | 1600 | 2.8 | -8/+19 | 3 | 1 | 2 | Developing |
| SCH65N027QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 38(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 91 | 21 | 84 | Developing |
| SCH65N040QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 56(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 65 | 19 | 52 | Developing |
| SCH65N045QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 63(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 56 | 15 | 50 | Developing |
| SCH65N060QN-AA | TOLL2-8 | 650 | 80(Vg=18V) | 2.8 | -10/+22 | 38 | 9 | 41 | Developing |