产品介绍
SiC MOSFET
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
SiC 二极管
无反向恢复电荷，几乎没有开关损耗。高工作温度 (Tjmax=175℃），开关特性受温度变化很小。材料特性，可以轻易达到更高的击穿电压。提高了系统效率和功率密度，增强了系统可靠性。
SiC功率模块
具有出色的栅极氧化可靠性，优秀的开关特性，较低的导通损耗。支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。节省空间、重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。功率模块系列拥有不同的配置，如半桥、sixpack等，可以满足各种应用设计。
碳化硅应用领域
LED驱动应用
空调PFC应用
服务器电源，通信电源，PC电源应用
光伏MPPT应用
电动汽车相关应用
充电桩应用
SiC applications – 3.3KW/6.6KW OBC
SiC applications – 11KW/22KW OBC
电动汽车逆变器
在未来，电动汽车需要越来越多的宽禁带半导体碳化硅，电动汽车是碳化硅最重要的增长驱动力。
产品列表
| Part No. | Package | Vds_ max(V) | Rds(on)(mΩ)_25°C V | Vth_ typ.(V) | Vgs_ max(V ) | Qg_ Vgs=15V(nC) | Qgs(nC) | Qgd(nC) | IDS_ Max(A ) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Vg=15V | ||||||||||
| Typ | Max | |||||||||
| SDAA2N030J-AA | TO247-4L | 1200 | 30(vg=18V) | 42 | 2.6 | -8/+22 | 150 | 57.3 | 53.6 | 63 |
| SDAA2N075J-AA | TO247-4L | 1200 | 75(vg=15v) | 97.5 | 3.2 | -8/+19 | 55 | 17 | 18 | 32 |
| SDAA2N075F-AA | TO263-7 | 1200 | 75(vg=15v) | 97.5 | 3.2 | -8/+19 | 55 | 17 | 18 | 33 |